在當今全球化的高科技競賽中，半導體芯片技術的研發已經成為國家之間科技實力較量的重要戰場。當國產芯片還在努力突破7納米技術瓶頸時，令人振奮的消息傳來：國內已有企業開始勇敢地探索更為先進的3納米技術。

在半導體行業，納米數值的縮小意味著技術難度的指數級增長。每個納米級的跨越，都代表著對材料科學、工藝制程、設計理念的全新挑戰。在這個看似遙不可及的目標前，中國的一家存儲芯片巨頭已經在國際舞臺上展示了其雄心壯志和初步成果。

2023年12月12日-16日，在舊金山舉行的IEEE國際電子元件年會（IEDM）上，這家企業向全世界揭示了其研發的GAA（環繞柵極）架構技術。值得一提的是，這正是當前半導體技術領頭羊三星用于其3納米芯片的技術。

但有所不同的是，這家中國企業并不生產邏輯芯片，因此其研發的GAA技術并不會直接應用于自家的存儲芯片生產線上。這一展示的意義不僅在于技術本身，更在于它背后所傳遞的信息：中國的芯片技術人才儲備豐富，已經具備了與國際前沿接軌的研發能力。在設備到位的情況下，3納米工藝的量產對中國而言將不再是遙不可及的夢想。相比之下，目前全球半導體代工巨頭臺積電在其第一代3納米工藝上仍然采用的是相對傳統的FINFET技術。